“剪缺一块的短发”通过精心收集，向本站投稿了2篇电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列，以下是小编帮大家整理后的电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列，仅供参考，大家一起来看看吧。

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列篇1：电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在《111》面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的'LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.

作 者：王小菊 林祖伦 祁康成 陈泽祥 汪志刚 蒋亚东 WANG Xiao-ju LIN Zu-lun QI Kang-cheng CHEN Ze-xiang WANG Zhi-gang JIANG Ya-dong  作者单位：电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054 刊 名：发光学报  ISTIC PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 28(3) 分类号：O462.2 TN873+.95 关键词：单晶LaB6   场发射阵列   电化学刻蚀   各向异性  

篇2：n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算

n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算

结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的`影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源.计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1 eV.导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象.

作 者：元光 曹崇龙 宋翠华 宋航 屿秀隆 三村秀典 YUAN Guang CAO Chong-long SONG Cui-hua SONG Hang Shimawaki Hitetaka Mimura Hitenori  作者单位：元光,曹崇龙,宋翠华,YUAN Guang,CAO Chong-long,SONG Cui-hua(中国海洋大学,物理系,山东,青岛,266100)

宋航,SONG Hang(中国科学院,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033)

屿秀隆,三村秀典,Shimawaki Hitetaka,Mimura Hitenori(日本静冈大学,电子工学研究所,日本滨松)

刊 名：发光学报  ISTIC PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)：2008 29(3) 分类号：O462.4 TN873.95 关键词：场发射   电子能谱   硅微尖   电场渗透
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